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    AEC-Q1001.对于非易失性存储器样品，在HTOL之前进行预处理：等级0：150℃，1000h等级1：125℃，1000h等级2：105℃，1000h等级3：85℃，1000h2.各等级温度对应的时间是比较低要求，通过计算或测量获取HTOL的Tj（结温）；3.当进行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作温度时的Tj，那么Tj可以代替Ta（环境温度），但是要低于***比较大Tj；4.如果Tj被用来作为HTOL的条件，在Ta和1000h条件下的器件需要使用；(max)需要保证交直流参数。————————————————版权声明：本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：。 TH801智能老化系统，实时监测并记录每颗芯片电压，电流，频率，寄存器状态等数据。长宁区HTOL测试机推荐

在每个时间点读点过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断，若iref＜i，则闪存读出“1”；若iref＞i，则闪存读出“0”。与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：本发明所提供的闪存htol测试方法，对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量，从而使闪存htol读“0”通过，解决了闪存htol测试中读点失效的问题，提高闪存质量。附图说明图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图；图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图；图3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图；图4为本发明实施例的对闪存参考单元进行擦除示意图；图5为本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除直接进行htol测试的输出电流iref分布图；嘉定区HTOL测试机市价上海顶策科技有限公司提供可靠性测试整体解决方案，以及测试方案制定，PCB设计制作，测试试验。

芯片HTOL测试需求，高质量、高效率、低成本HTOL测试方案，包括HTOL、LTOL、双85、HAST等可靠性设备，以及测试方案制定，PCB设计制作，测试试验，满足各类芯片可靠性测试需求。上海顶策科技有限公司，自研TH801智能一体化HTOL测试机，实现实时单颗监控技术，通过监测数据，可以实时发现问题并介入分析，大幅提高HTOL效率。20年以上得丰富测试技术积累及运营经验，上海顶策科技有限公司自成立以来，已经为超过500家半导体公司提供高质量，高效率，低成本，一条龙测试解决方案！

本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。闪存参考单元进行编译和擦除循环后，htol测试过程中。闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间偏移量减小，实际验证多个型号的闪存产品采用本实施例的方法后，htol可靠性验证通过，而且测试可靠，使闪存产品较短时间内进入客户样品量产阶段。综上所述，本发明所提供的一种闪存htol测试方法，对闪存参考单元进行编译和擦除循环后，再进行闪存htol可靠性验证，编译和擦除循环会在闪存参考单元中引入电子，引入的电子在闪存htol可靠性验证过程存在丢失，进而对空穴在htol测试过程中的丢失形成补偿，降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量，从而使闪存htol读“0”通过，解决了闪存htol测试中读点失效的问题，提高闪存质量。显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些改动和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变动在内。上海顶策科技的HTOL测试机TH801，自有发明专利的智能HTOL系统，自主研发在线实时单颗监测技术。

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    高温工作寿命实验（Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL）测试目的：芯片处于高温条件下，加入动态信号，并长时间工作，以评估其使用寿命，并确定其可靠性。测试条件：结温(Tj)≧125℃，电压Vcc≧Vccmax，测试时间：1000hrs样品数：77ea/lot,3lots测试读点：168、500、1000hrs参考规范：、JESD22-A108JESD22-A108B：Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85：METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K：Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74：EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作寿命试验、老化试验(OperatingLifeTest)，为利用温度、电压加速方式，在短时间试验内，预估芯片在长时间可工作下的寿命时间(生命周期预估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate)：评估早夭阶段的故障率或藉由BI手法降低出货的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million)，针对失效模式中的InfantMortality，一般测试低于48小时，车规级芯片需要100%BI测试。HTOL(HighTemperatureOperatingLife)：评估可使用期的寿命时间-FIT/MTTF，针对失效模式中的Wearout，一般需要测试1000小时，属于抽样测试。 长宁区HTOL测试机推荐

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